Path:OKDatasheet > Dane Semiconductor > Infineon Datasheet > HYB514100BJ-50
HYB514100BJ-50 spec: 4M x 1bit DRAM
Podobne HYB514100BJ-50
- HYB511000BJ-50
- 1M x 1bit DRAM
- HYB511000BJ-70
- 1M x 1bit DRAM
- HYB511000BJL-50
- 1M x 1bit DRAM
- HYB511000BJL-70
- 1M x 1bit DRAM
- HYB5116160BSJ-50
- 1M x 16-DRAM
- HYB5116160BSJ-60
- 1M x 16-DRAM
- HYB5116160BSJ-70
- 1M x 16-DRAM
- HYB5116165BJ-50
- 1M x 16bit EDO-DRAM
HYB514100BJ-50 Datasheet i Spec
Producent : Infineon
Opakowanie : P-SOJ-26/20-2 300 mi
Pins : 26
Temperatura : Min 0 °C | Max 70 °C
Rozmiar : 118 KB
Zastosowanie : 4M x 1bit DRAM
HYB514100BJ-50 PDF Pobierz