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MTB1N100E spec: TMOS E-FET high energy power FET
MTB1N100E Datasheet i Spec
Producent : Motorola
Opakowanie : DPAK
Pins : 4
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Rozmiar : 281 KB
Zastosowanie : TMOS E-FET high energy power FET
MTB1N100E PDF Pobierz