VTE3324LA spec: GaAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 2.6 mW/cm2 (distance 10.16 mm, diameter 2.1 mm).

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VTE3324LA Datasheet i Spec

Producent : PerkinElmer

Opakowanie : T-1

Pins : 2

Temperatura : Min -40 °C | Max 100 °C

Rozmiar : 24 KB

Zastosowanie : GaAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 2.6 mW/cm2 (distance 10.16 mm, diameter 2.1 mm).