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PHB6N60E spec: 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
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PHB6N60E Datasheet i Spec
Producent : Philips
Opakowanie : SOT
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Rozmiar : 81 KB
Zastosowanie : 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated
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