Path:OKDatasheet > Dane Semiconductor > Philips Datasheet > PHX8N50E
PHX8N50E spec: 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHX8N50E Datasheet i Spec
Producent : Philips
Opakowanie : SOT
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Rozmiar : 81 KB
Zastosowanie : 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHX8N50E PDF Pobierz