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IRF510 spec: HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.54 Ohm, ID = 5.6A
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IRF510 spec: HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.54 Ohm, ID = 5.6A
Producent : IR
Opakowanie :
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 175 °C
Rozmiar : 192 KB
Zastosowanie : HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.54 Ohm, ID = 5.6A