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VTE1281F spec: GaAlAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 0.21 mW/cm2 (distance 36 mm, diameter 6.4 mm).
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VTE1281F spec: GaAlAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 0.21 mW/cm2 (distance 36 mm, diameter 6.4 mm).
Producent : PerkinElmer
Opakowanie : T-1.75
Pins : 2
Temperatura : Min -40 °C | Max 100 °C
Rozmiar : 26 KB
Zastosowanie : GaAlAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 0.21 mW/cm2 (distance 36 mm, diameter 6.4 mm).