Path:OKDatasheet > Dane Semiconductor > Philips Datasheet > IRF830
IRF830 spec: 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated
IRF830 Datasheet i Spec
Producent : Philips
Opakowanie : SOT
Pins : 3
Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C
Rozmiar : 63 KB
Zastosowanie : 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated
IRF830 PDF Pobierz