Podobne IRF840

  • IRF830
    • 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated
  • IRF840
    • 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated

IRF840 Datasheet i Spec

Producent : Philips 

Opakowanie : SOT 

Pins : 3 

Temperatura : Min -55 °C | Max 150 °C

Rozmiar : 65 KB

Zastosowanie : 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated 

IRF840 PDF Pobierz