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F1415 spec: 150 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F1415 Datasheet i Spec
Producent : Polyfet RF
Opakowanie :
Pins : 4
Temperatura : Min -65 °C | Max 150 °C
Rozmiar : 42 KB
Zastosowanie : 150 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
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